硅片甩干機廠家解釋在形態上，直拉單晶硅形狀一般為圓柱形，而鑄造多晶硅一般鑄造成硅錠，為方形。在質量上由于單晶的工藝要求較高，其純度一般要求在六個九以上；而相對的，鑄造多晶硅的純度要求相對較低。在能耗上，單晶由于有拉晶的過程，相對能耗遠大于鑄造多晶硅。而在晶體形狀上，單晶硅的形狀比較規則，其中晶體的缺陷明顯較少，而多晶硅只滿足短程有序，其形狀規則性較差。
本征半導體Si、Ge等的四個價電子，與另四個原子構成四個共價鍵，硅片甩干機廠家說明當摻入少量的五價原子（如P、As）時，就形成了n型半導體，由量子力學知識可知，這種摻雜后多余的電子的能級在禁帶中緊靠空帶處，DED～10-2eV，極易形成電子導電。則半導體中的電子變為主要載流子，在室溫下，除了本征激發之外還受到雜質電離的影響，載流子濃度增加，使半導體的電導率上升；而當摻入的雜質為三價原子時（如B、Ga、In等），多余的空穴的能級在禁帶中緊靠滿帶處，DED～10-2eV，極易形成空穴導電，空穴為其主要載流子，與N型材料類似的，在室溫下，由于雜志電離效果的存在，摻雜后的半導體硅的載流子濃度增大，電導率增大。
