硅片甩干機的硅片經過切片、倒角、研磨、表面處理、拋光、外延等不同工序加工后，表面已經受到嚴重的沾污，清洗的目的就是為了去除硅片表面顆粒、金屬離子以及有機物等污染。
1.硅片甩干機的濕法化學清洗
化學清洗是指利用各種化學試劑和有機溶劑與吸附在被清洗物體表面上的雜質及油污發生化學反應或溶解作用，或伴以超聲、加熱、抽真空等物理措施，使雜質從被清除物體的表面脫附（解吸），然后用大量高純熱、冷去離子水沖洗，從而獲得潔凈表面的過程。化學清洗又可分為濕法化學清洗和干法化學清洗，其中濕法化學清洗技術在硅片表面清洗中仍處于主導地位。
常用化學試劑、洗液的性質常用化學試劑及洗液的去污能力，對于濕法化學清洗的清洗效率有決定性的影響，根據硅片甩干機清洗目的和要求選擇適當的試劑和洗液是濕法化學清洗的首要步驟。
2.硅片甩干機的溶液浸泡法
溶液浸泡法就是通過將要清除的硅片放入溶液中浸泡來達到清除表面污染目的的一種方法，它是濕法化學清洗中zui簡單也是zui常用的一種方法。它主要是通過溶液與硅片表面的污染雜質在浸泡過程中發生化學反應及溶解作用來達到清除硅片表面污染雜質的目的。選用不同的溶液來浸泡硅片可以達到清除不同類型表面污染雜質的目的。如采用有機溶劑浸泡來達到去除有機污染的目的，采用1號液（即SC1，包含H2O2、NH3OH化學試劑以及H2O）浸泡來達到清除有機、無機和金屬離子的目的，采用2號液（即SC2，包含HCL、H2O2化學試劑以及H2O）浸泡來達到清除AL、Fe、Na等金屬離子的目的。單純的溶液浸泡法其效率往往不盡人意，所以在采用SC1浸泡的同時往往還輔以加熱、超聲或兆聲波、搖擺等物理措施。
